國立台灣大學林清富教授實驗室

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Ching-Fuh Lin, Distinguished Professor

Phone:886-2-33663540

Fax:886-2-23642603

Address:BL-414,Department of Electrical Engineering,
National Taiwan University , Taipei 106, Taiwan
Email:lincf@ntu.edu.tw

 

Patents

1.林清富,劉致為”金氧矽發光二極體”,中華民國專利申請案號88110217,(八十八年六月十七日)。專利證書發明第一四一O五七號,專利權期間中華民國九十年九月二十四日至一O八年六月十六日止。

2.林清富,張欽圳,劉立國,曾煥恩,”檢測圓形物件之照明裝置”,中華民國專利申請案號089212340,(八十九年七月十五日)。專利證書新型第一七九九八九號,專利權期間中華民國九十年八二十一日至一O一年七月十四日止。

3.李柏霖,林清富”自行混成鎖模產生雷射之方法”, 中華民國專利申請案號89107430,(八十九年四月二十日)。專利證書發明第一四五六六五號,專利權期間中華民國九十年十一月二十一日至一O九年四月十九日止。

4.林清富,”反射式投影機的成像裝置”,中華人民共和國專利,(新型),專利號ZL 01 2 60898.X,專利權期間2001年9月14日起十年。

5.林清富,”間接能隙材料上之發光元件”,中華民國專利申請案號89102788,八十九年二月十八日。專利證書發明第一五O二一八號,專利權期間中華民國九十一年一月二十一日至一O九年二月十七日止。

6.劉致為,林崇勳,李敏鴻,林清富 “利用氘氣高溫預烤以增加氧化層穩定度之方法” 通過國科會審查,中華民國專利證書發明第一四八三七七號,專利權期間中華民國九十一年一月一日至一一O年一月二日止。

7.陳敏璋,林清富,劉致為,李敏鴻,張書通,”金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面品質檢測系統與方法”,中華民國專利申請案號090131949,公告中(編號508714)。專利證書發明第一六九六九二號,專利權期間中華民國九十一年十一月一日至一一O年十二月二十日止。

8.楊昇昌,陳貫中,許可昇,林清富 “分光反射式全彩投影裝置”,中華民國專利申請案號89208010,專利證書新型第一九九九六一號,專利權期間中華民國九十一年十二月十一日至一O一年五月十一日止。

9.林清富,吳秉叡 “利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術” 中華民國專利申請案號90109399,九十年四月十九日,已公告,九十二年二月十三日。專利證書發明第一七四五八六號,專利權期間中華民國九十二年三月二十一日至一一O年四月十八日止。

10.林清富,林唯芳,梁奕智,蘇亭偉 “一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構” ,申請案號091108643。已公告,九十二年二月二十七日。專利證書發明第一七七O一四號,專利權期間中華民國九十二年四月二十一日至一一O年四月二十五日止。

11.林唯芳,林清富 “具有發光奈米粒子之發光二極體” ,已公告。專利證書發明第一八四六九六號,專利權期間中華民國九十二年八月一日至一一一年五月八日止。

12.Ching-Fuh Lin, “Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength,” US Patent,  US6,687,275, 2004/2/3-2023/5/4.

13.Wei-Fang Su and Ching-Fuh Lin, “Light emitting diode with nanoparticles,” US Patent, US6838816 B2, 2002/6-2022/6.

14.余坤郎,林清富,鄭超群 “圖形真偽辨識系統” 申請案號0091132639,已公告,專利證書發明第一九二零九三號,專利權期間中華民國九十二年十二月一日至一一一年十月三十一日止。

15.余坤郎,林清富,鄭超群 “圖形真偽辨識裝置”專利證書發明第二零六九八五號,專利權期間中華民國九十三年六月十一日至一一二年五月十五日止。

16.林清富、梁奕智、黃武平、謝信弘,” 利用蝕刻矽基板表面提高元件發光效率之方法” 申請案號0092103861,已公告。專利證書發明第二O一O六二號,專利權期間中華民國九十三年四月二十一日至一一二年二月二十四日止。

17.林清富、蔡家偉、蔡志宏、蘇益信, “高功率半導體雷射結構”, 中華民國專利證書發明第二二O八一O號,專利權期間中華民國九十三年九月一日至一一二年四月二十九日止。

18.Ching-Fuh Lin, “Light emitting devices based on indirect-bandgap materials,” Patent allowed, 09/644629 , USA, Aug. 23, 2000. Patent number 6881977. (2005 April)

19.  Ching-Fuh Lin,Wei-Fang Su,Eih-Zhe Liang,Ting-Wien Su “Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structures to enhance light-emitting efficiency” US Patent, US 6770903 B2. 2002/9-2022/9. Patent allowed, 10/251890 , USA.

20.林清富,”利用縮短侷限異質結構增加光電元件發光頻寬之方法”, 申請案號0092116753,中華民國專利證書發明第二O七三四一號,專利權期間中華民國九十三年六月二十一日至一一二年六月十九日止。

21.林清富,”利用載子重分佈調整發光波長之二極不同寬度多層半導體量子井雷射”, 申請案號091107443,已公告。中華民國專利證書發明第二二五七二三號,專利權期間中華民國九十三年十二月二十一日至一一一年四月十一日止。(2004/12/21-2022/4/11)

22.Miin-Jang Chen, Ching-Fuh Lin, Chee-Wee Liu, Min-Hung Lee, and Shu-Tong Chang, “System and method for characterizing the quality of the interface between a silicon and a gate insulator in a MOS device,” US Patent, US 6812729 B2. (Nov. 2, 2004)

23.Ching-Fuh Lin and Shu-I Lin, “reflective type light valve projection device,” Patent allowed, 10/777,168, USA, 2005.

24.Ching-Fuh Lin and Cha-Hsin Chao, “Metallic Photonic Box and Its Fabrication Techniques,” US Patent, US 6940174 B2. 2005/9-2024/1. Patent allowed, 10/746908, USA, 2005.

25.Ching-Fuh Lin and Bing-Ruay Wu, “Semiconductor optoelectronic apparatus having plural quantum wells of different widths,” Patent number GB2378318, United Kingdom, 2005. 2002/3-2022/3.

26.Ching-Fuh Lin, Wu-Ping Huang, Hsing-Hung Hsieh, Eih-Zhe Liang, “Method of improving electroluminescence efficiency of a MOS device by etching a silicon substrate thereof,” US Patent, US 6905977 B2. (June 14, 2005) 2003/3-2023/3. NSC91-2622-L-002-004.

27.林清富、孫國瑞、蘇益信 “光子激發組合物”, 中華民國專利證書發明第I 256970號,專利權期間2006/6/21-2024/7/12。

28.Ching-Fuh Lin and Bin-Ruay Wu, “Technology for increasing bandwidth of semiconductor optical amplifiers/superluminescent diodes using non-identical multiple quantum wells,” US7,045,812 B2, 5/16/2006-10/9/2021.

29.Ching-Fuh Lin and Bin-Ruay Wu, “Technology for increasing bandwidth of semiconductor optical amplifiers/superluminescent diodes using non-identical multiple quantum wells,” FR0204844, 4/18/2002-18/4/2022.

30.林清富、黃礎霆、許書嘉、林恭安、梁奕智,”應用聲子輔助光放大技術之半導體雷射元件及其製作方法”, 中華民國專利證書發明第I 268002號,專利權期間2006/12/1-2025/9/1。(NSC93-2120-M-002-01)

31.林清富、趙家忻,”金屬光子盒及其製作方法”, 中華民國專利證書發明第I 253518號,專利權期間2006/4/21-2024/2/3。

32.林清富、蘇益信,”調整量子井順序增寬波長可調範圍之半導體雷射及其方法”, 中華民國專利證書發明第I 289961號,專利權期間2007/11/11-2023/6/19。

33.林清富、孫國瑞、石秉弘、蘇益信, “以奈米粒子在基板上製作光通訊光源之發光層的方法”, 申請案號094144709,(申請日:2005年12月16日)。中華民國專利證書發明第I297724號,專利權期間中華民國2008年6月11日至2025年12月15日止。

34.Ching-Fuh Lin and Cha-Hsin Chao, “High Efficiency Lighting Devices and Method for Fabricating the Same,” US7863608, 3/23/2009-07/04/2029.

35.Ching-Fuh Lin, Cha-Hsin Chao, and Wen-Han Lin, “Method for maintaining a smooth surface of crystallization material,” US8030189 B2, 10/4/2011-

36.Ching-Fuh Lin, Chieh-Yu Hsiao, and Jiun-Jie Chao, “Mixed-typed Heterojunction thin-film solar cells structure and method for fabrication the same,” US8053025 B2, 11/8/2011-

37.Cing-Fuh Lin, Shih-Che Hung, and Shu-Chia Shiu, “Method for smoothing a surface of an optical element with laser,” US 8,048,344 B2, 11/1/2011-07/02/2029.

38.Ching-Fuh Lin and Shu-Jia Syu, “Silicon substrate having nanostructures and method for producing the same and applications thereof,” US8,101,522 B2, 1/24/2012-

39.Ching-Fuh Lin and Chun-Yu Lee, “Organic-inorganic lighting device and method for fabricating the same,” US8,143,778 B2, 3/27/2012-

40.Ching-Fuh Lin and Chun-Yu Lee, “Organic/inorganic white lighting device and method for making thereof,” US8,128,985 B2, 3/6/2012-

41.Ching-Fuh Lin, Shih-Che Hung, and Shu-Jia Syu, “Method for forming Si trench,” US 8,193,095 B2, 6/5/2012-5/29/2030.

42.林清富、趙俊傑、蕭傑予, “混合型異質接面薄膜太陽能電池結構及其製作方法” ,中華民國專利證書發明第I 371114號,專利權期間2012/8/21-2028/6/2。

43.Ching-Fuh Lin and Chun-Yu Lee, “Thin-film transistor and forming method thereof,” US 8,288,767 B2, 10/16/2012-1/4/2030.

44.Ching-Fuh Lin and Jing-Shun Huang, “Suspending Liquid or Solution for Organic Optoelectronic Device, Making Method thereof, and Applications,” US 8,304,270 B2,11/6/2012-8/26/2029.

45.Ching-Fuh Lin and Shu-Jia Syu, “Method of producing Si nanostructures,” US 8,334,216 B2,12/18/2012-2/23/2031.

46.林清富、趙俊傑、許書嘉, “微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法”,中華民國專利證書發明第I 381536號, 專利權期間2013/1/1 - 2028/8/28

47.Ching-Fuh Lin, Jiun-Jie Chao, and Shu-Chia Shiu, “Micro/nanostructure PN junction diode array thin-film solar cell and method for fanricationing the same,” US 8,258,396 B2, 09/04/2012 – 4/19/2031.

48.Ching-Fuh Lin, Jiun-Jie Chao, and Shu-Jia Syu, “Micro/nanostructure PN junction diode array thin-film solar cell and method for fabricating the same,” US 8,486,749 B2, 7/16/2013-11/14/2031

49.林清富, 蔡國華,”具有電極反轉結構之可撓性光電元件及其製作方法”, 臺灣發明專利第I393282號, 專利權期間2013/4/11-2029/8/10。

50.林清富, 趙家忻, 林文瀚,”維持材料表面平整度的製作方法”, 臺灣發明專利第I392774號, 專利權期間2013/4/11-2029/9/16。

51.Ching-Fuh Lin and Kuo-Hua Tsai, “Flexible Optoelectronic Device Having Inverted Electrode Structure and Method for Making the same,” US 8,378,337 B2, 02/19/2013-07/15/2031.

52.林清富、李俊育, “有機無機發光元件及其製作方法”, 中華民國專利證書發明第I398964號, 專利權期間2013/6/11-2029/4/2。

53.林清富、許書嘉、蕭傑予、劉孟岳, “一維微奈米結構的移植方法”, 中華民國專利證書發明第I 403457號, 專利權期間2013/8/1-2028/5/27。

54.Ching-Fuh Lin and Kuo-Hua Tsai, “Method Of Making A Flexible Optoelectronic Device Having Inverted Electrode Structur,” US 8,574,940 B2, 11/5/2013-11/04/2029.

55.Jing-Shun Huang and Ching-Fuh Lin, “Optoelectronic Device having a sandwich structure and method for forming the same,” US 8,623,684 B2, 1/7/2014-1/30/2032.

56.林清富、黃敬舜, “有機/無機三明治結構之光電元件及其製作方法”, 中華民國專利證書發明第I 407609號, 專利權期間2013/9/1-2029/11/26。

57.林清富、林子敬、許書嘉,“大面積薄型單晶矽之製作技術”, 中華民國專利證書發明第I 419202號, 專利權期間2013/12/11 - 2031/12/5。

58.林清富、李俊育, “薄膜電晶體與其製法”,中華民國專利證書發明第I 426566號, 專利權期間2014/2/11 - 2029/11/4。

59.林清富、許書嘉,”太陽能電池與其異質結構的製造方法”, 中華民國專利證書發明第I 426619號, 專利權期間2014/2/11 - 2030/6/24。

60.Ching-Fuh Lin and Ming-Shiun Lin, “Method of producing conductive thin film,” US 8,642,377 B2, 2/4/2014-3/18/2031.

61.林清富、古竣偉,“於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用”,中華民國專利證書發明第I 429792號, 專利權期間2014/3/11 - 2031/10/30。

62.Ching-Fuh Lin and Jing-Shun Huang, “Organic Optoelectronic Device, Making Method thereof, and Applications,” US 8,513,660 B2,8/20/2013-10/8/2032..

63.林清富、洪士哲、許書嘉,“矽溝糟結構的製造方法”,申請案號99134859,(申請日: 2010年10月13日) ,中華民國發明專利第I 459459號,專利權期間2014/11/1~2030/10/12,申請人:國立臺灣大學。

64.林清富, “半導體微奈米柱的製作方法與應用”,申請案號99140471,(申請日: 2010年11月24日) ,中華民國發明專利第I 459460號,專利權期間2014/11/1~2030/11/23,申請人:國立臺灣大學。

65.林清富、蘇華隆,“製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用”,申請案號101131537,(申請日:2012年8月30日) ,中華民國發明專利第I 458674號,專利權期間2014/11/1~2032/8/29,申請人:國立臺灣大學。

66.Ching-Fuh Lin, Shih-Che Hung, Shu-Chia Shiu, “Method for producing Si waveguides on non-SOI substrates ”, US 8,889,017 B2, 2014/11/18-2032/8/4,申請人: 國立臺灣大學。

67.Ching-Fuh Lin、Kuei-Yu Cian、Shao-Hsuan Kao, “Method for fabricating an interlayer,” US 8, 951,922 B2,10/2/2015-13/3/2033

68.Ching-Fuh Lin, Ming-Shiun Lin, “LED phosphor and fabricating method thereof ,” US 8, 956,911 B2, 17/2/2015- 27/12/2032

68.林清富、鄭宇文、吳皓郁,“脈衝雷射蒸鍍系統,” 中華民國發明專利第I 472635號, 專利權期間2015/2/11-2033/9/12。

70.林清富、許書嘉 “矽奈米結構與其製造方法及應用,” 中華民國發明專利第I 472477號, 專利權期間2015/2/11-2030/3/1。

71.林清富、許書嘉, “具有矽奈米結構的矽基板與其製造方法及應用,” 中華民國發明專利第I 472478號, 專利權期間2015/2/11-2030/5/13。

72.林清富、沈品均,“製作參雜金屬離子之硫化鋅奈米粒子的方法以及應用其進行光致發暖白光的方法”,申請案號102112135,(申請日:2013年4月3日) 中華民國發明專利第I483902號,專利權期間2015/5/11-2033/4/2,申請人: 國立臺灣大學。

73.林清富、李俊育, “有機/無機白光發光元件及其製作方法” , 中華民國專利證書發明第I 491308號, 專利權期間2015/7/1~2029/7/16, 申請人: 國立臺灣大學。

74.林清富、黃敬舜, “用於有機光電元件之過渡金屬氧化物的懸浮液或溶液、其製作方法與應用” ,中華民國專利證書發明第I 491087號, 專利權期間2015/7/1~2029/8/25, 申請人: 國立臺灣大學。

75.林清富、陳新鎰、趙俊傑、許紘彰, “熱載子光電轉換裝置及其方法”, 中華民國專利證書發明第I 493739號, 專利權期間2015/7/21-2033/06/04。

76.林清富、陳新鎰、趙俊傑、許紘彰, “熱載子光電轉換裝置及其方法”, 中華大陸專利證書發明第2486658號, 專利權期間2017/5/17-2034/05/27。

77.林清富、林明勳, “導電薄膜的製法,” 中華民國專利證書發明第I 500050號, 專利權期間2015/9/11 - 2031/2/24

78.林清富、沈品均,“製作參雜金屬離子之硫化鋅奈米粒子的方法以及應用其進行光致發暖白光的方法”,申請案號201410069585.2,(申請日:2014年2月27日),中國大陸專利證書號第2234025號,專利權期間2016/9/14~2034/2/27,申請人: 國立臺灣大學。

79.林清富、薛華毅、陳立錚、鄭竣中,“光譜分析裝置及其製造方法”,申請案號105112350,(申請日:2016年4月20日) ,中華民國專利證書發明第I 585376號, 專利權期間2017/6/1~2036/4/19,申請人: 國立臺灣大學。

80.林清富、林書儀,”反射式光學閥光學投影裝置”, 申請案號92135113,已公告。

81.林清富,林唯芳,梁奕智,蘇亭偉 “利用奈米粒子提高發光效率之金氧矽結構” ,專利正在申請中。美國,日本,歐洲(英國、德國、法國或歐盟)。

82.林清富,吳秉叡 “多層量子井半導體雷射之構造” ,專利正在申請中。

83.林唯芳,林清富 “具有發光奈米粒子之發光二極體” ,專利正在申請中。美國,日本,歐洲(英國、德國、法國或歐盟)。

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